Внешний SSD SAMSUNG T9 Portable 4Тб, USB 3.2 MU-PG4T0B/WW

Экономия времени, ускорение рабочего процесса. Благодаря интерфейсу USB 3.2 поколения 2x2 и использованию протокола NVMe ™ T9 может передавать файл объемом 2 ГБ примерно за 1 секунду, обеспечивая скорость последовательного чтения / записи до 2000 МБ / с. Экономьте время загрузки и выполняйте больше работы с помощью компактного устройства, которое помогает ускорить рабочий процесс и повысить производительность. Работает в любых технических настройках. Легко синхронизируйте свое устройство с T9. T9 совместим с телефонами и планшетами Windows®, macOS®, Android ™, игровыми консолями, камерами 12K и многим другим. В комплект поставки также входят кабели USB-C®-C и USB-C®-A для бесперебойного подключения. Сохраняйте прохладу до конца. Оснащенный SAMSUNG Dynamic Thermal Guard, накопитель T9 минимизирует потенциальное снижение производительности в результате перегрева и обеспечивает высокую скорость передачи данных. Более того, T9 разработан в соответствии с международным стандартом безопасности IEC 62368-1, обеспечивая дополнительный уровень надежности. Надежно защитите свои данные. Будьте спокойны с T9. Разработанный для защиты данных от внешних ударов, с устойчивостью к падению с высоты до 3 метров, вы можете быть спокойны и беречь свои ценные активы. Накопитель также может быть защищен 256-битным зашифрованным паролем AES. Программное обеспечение SAMSUNG Magician. Раскройте всю мощь T9 с помощью SAMSUNG Magician software - удобного набора инструментов оптимизации, которые помогают обеспечить максимальную производительность портативного твердотельного накопителя. Защищайте ценные данные, следите за состоянием накопителя и получайте последние обновления встроенного программного обеспечения. Воплощение инноваций в жизнь. Флэш-память SAMSUNG NAND помогла разработать инновационные решения, которые помогли улучшить нашу повседневную жизнь. Эта технология флэш-памяти NAND также обеспечивает работу наших потребительских твердотельных накопителей, освобождая место для следующего масштабного прорыва инноваций.