Оперативная память SAMSUNG (), DDR4 1x8Gb, 3200MHz M471A1K43EB1-CWED0
Артикул: M471A1K43EB1-CWED0
3 170 руб.
3 090 руб.
Нет в наличии
Оплата и доставка вМосква
ОПЛАТА
- Наличными при получении
- Оплата картой онлайн
- Кредит или рассрочка
- Безналичный рассчет
ДОСТАВКА
- Со склада продавца
- Самовывоз
ГАРАНТИЯ
- Точные сроки гарантии описаны в характеристиках товара
ОБМЕН/ВОЗВРАТ
- Обмен/возврат товара в течение 14 дней
ХАРАКТЕРИСТИКИ
Цена
- 3 090 руб.
Страна-производитель
- Китай
Назначение
- Для ноутбука
Гарантия
- Зависит от условий продавца
Форм-фактор
- SO-DIMM
Тип памяти
- DDR4
Частота, мегагерц
- 3200
Стандарт памяти
- PC-25600
Общий объем, гигабайт
- 8
Количество модулей в комплекте
- 1
Объем одного модуля, гигабайт
- 8
Пропускная способность, Мегабит/с
- 25600
Расположение чипов
- Двусторонние
Напряжение питания
- 1,2B
CAS Latency (CL)
- 22
Система охлаждения
- Не предустановлена
Подсветка
- Нет
Игровая
- Нет
Ранг памяти
- Single
Количество контактов
- 288
Регистровая память
- Нет
Поддержка ECC
- Нет
Поддержка XMP
- Нет
Возможность разгона
- Нет
Низкопрофильная
- Нет
Высота модуля, миллиметров
- 30
Row Precharge Delay (tRP)
- 22
Количество чипов
- 8
Модель
ОПИСАНИЕ
Оперативная память SAMSUNG (M471A1K43EB1-CWE) – это высокоскоростной модуль, который предназначен для установки в современные ноутбуки.
Повышает производительность системы
Оперативная память имеет форм-фактор SO-DIMM, что позволяет ей легко помещаться в слоты компактных лэптопов. Устройство выполнено в соответствии со стандартом PC-25600, благодаря чему обеспечивается высокая скорость передачи данных. Модуль поддерживает напряжение 1,2 В, что делает его безопасным при эксплуатации. Основные технические параметры:
общая емкость составляет 8 Гб;
частота работы достигает 3200 МГц;
пропускная способность равна 25600 Мбит/с;
CAS Latency (CL) составляет 22;
Row Precharge Delay (tRP) равно 22.
Оперативная память оснащена двусторонними чипами, которые расположены на одной стороне. Это позволяет увеличить скорость обработки информации.
